2.123 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Cách đóng gói | Loại FET | Công nghệ | Điện áp D-S (Vdss) | Dòng máng liên tục (Id) | Rds On tối đa | Đặc điểm FET | Công suất tiêu tán tối đa | Nhiệt độ làm việc | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp | Vỏ | Vỏ theo hãng |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AG533EES4FRATCB ROHM SemiconductorAG533EES4FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 30 V,Dòng máng liên tục (Id): 35A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 35A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| AG540EGS4FRATCB ROHM SemiconductorAG540EGS4FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 40 V,Dòng máng liên tục (Id): 120A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| AG541EGS4FRATCB ROHM SemiconductorAG541EGS4FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 40 V,Dòng máng liên tục (Id): 120A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| AG542EGS4FRATCB ROHM SemiconductorAG542EGS4FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 40 V,Dòng máng liên tục (Id): 67A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 67A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| AG543EGS4FRATCB ROHM SemiconductorAG543EGS4FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 40 V,Dòng máng liên tục (Id): 28A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 28A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| BSS138BKWT106 ROHM SemiconductorBSS138BKW là MOSFET kênh N đơn 60V 380mA, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 60 V,Dòng máng liên tục (Id): 380mA, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 380mA | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| BSS138BWAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS138BWAHZG là MOSFET kênh N đơn 60V 380mA kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 60 V,Dòng máng liên tục (Id): 380mA, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 380mA | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| BSS138WAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS138WAHZG là MOSFET kênh N đơn 60V 310mA kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 60 V,Dòng máng liên tục (Id): 310mA, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 310mA | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| BSS138WT106 ROHM SemiconductorBSS138W là MOSFET kênh N đơn 60V 310mA, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 60 V,Dòng máng liên tục (Id): 310mA,Công suất tiêu tán tối đa: 138W, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 310mA | — | — | 138W | — | — | — | — | — | — | ||
| BSS84WAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS84WAHZG là MOSFET kênh P đơn -60V -0.21A kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOT-323 phổ biến trong ngành. Lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 60 V,Dòng máng liên tục (Id): 210mA, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 210mA | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| BSS84WT106 ROHM SemiconductorBSS84W là MOSFET kênh P đơn -60V -0.21A, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOT-323 phổ biến trong ngành. Lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 60 V,Dòng máng liên tục (Id): 210mA,Công suất tiêu tán tối đa: 84W, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 210mA | — | — | 84W | — | — | — | — | — | — | ||
| BSS84XHZGG2CR ROHM SemiconductorBSS84XHZG là MOSFET siêu nhỏ gọn mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. BSS84XHZG đạt chuẩn AEC-Q101, đảm bảo độ tin cậy và hiệu năng cấp ô tô trong điều kiện khắc nghiệt. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 60 V,Dòng máng liên tục (Id): 230mA,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 230mA | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| GNP3018TD-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3018TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 92A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 92A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3018TF-ZTR ROHM SemiconductorGNP3018TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 91A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 91A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3028TD-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3028TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 65A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 65A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3028TF-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3028TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 63A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 63A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3040TD-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3040TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 44A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 44A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3040TEC-ZE2 ROHM SemiconductorGNP3040TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 51A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 51A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3040TF-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3040TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 43A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 43A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3050TD-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3050TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 36A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 36A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3050TEC-ZE2 ROHM SemiconductorGNP3050TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 42A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 42A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3070TEC-ZE2 ROHM SemiconductorGNP3070TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 32A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 32A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3120TEC-ZE2 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3120TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 16A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 16A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3120TJ-ZE1 ROHM SemiconductorGNP3120TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 14A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 14A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| GNP3290TJ-ZE1 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3290TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 6A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 6A | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
