Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BSS84WT106

MOSFET tín hiệu nhỏ kênh P -60V -0.21A, SOT-323

BSS84W là MOSFET kênh P đơn -60V -0.21A, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOT-323 phổ biến trong ngành. Lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le.

BSS84WT106, UMT3

Thông số

Mã nhà sản xuất
BSS84WT106
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
UMT3
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BSS84W
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Chương trình cung cấp dài hạn
9 năm
Mã vỏ
SOT-323
Vỏ JEITA
SC-70
Số chân
3
Cực tính
P
Điện áp drain-source VDSS [V]
-60
Dòng drain ID [A]
-0.21
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
3.5
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
2.8
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
3.5
Công suất tiêu tán (PD) [W]
0.3
Điện áp điều khiển (drive) [V]
-4.5
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
2.1x2.0 (t=1.1)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))60 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)210mA
Công suất tiêu tán tối đa (Power Dissipation (Max))84W

Thông tin chi tiết

BSS84W là MOSFET kênh P đơn -60V -0.21A, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOT-323 phổ biến trong ngành. Lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le.

Tính năng chính

  • Công nghệ Trench MOSFET
  • Chuyển mạch rất nhanh
  • Truyền động 4.5V

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BSS84XHZGG2CR

ROHM SemiconductorBSS84XHZG là MOSFET siêu nhỏ gọn mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. BSS84XHZG đạt chuẩn AEC-Q101, đảm bảo độ tin cậy và hiệu năng cấp ô tô trong điều kiện khắc nghiệt.

DFN1010-3W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3018TD-ZTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3018TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TOLL-8N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3018TF-ZTR

ROHM SemiconductorGNP3018TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TOLT-16N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3028TD-ZTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3028TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TOLL-8N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3028TF-ZTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3028TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TOLT-16N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3040TD-ZTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3040TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TOLL-8N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3040TEC-ZE2

ROHM SemiconductorGNP3040TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

DFN8080CK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3040TF-ZTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3040TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TOLT-16N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá