Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

GNP3040TEC-ZE2

EcoGaN™, 650V 51A DFN8080CK, GaN HEMT (Gallium-Nitride) chế độ E-mode

GNP3040TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

GNP3040TEC-ZE2, DFN8080CK

Thông số

Mã nhà sản xuất
GNP3040TEC-ZE2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
DFN8080CK
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
GNP3040TEC-Z
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
3
VDS [V]
650
IDS [A]
51
Định mức VGS [V]
7
RDS(on) [mΩ]
40
Qg [nC]
6.2
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))650 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)51A

Thông tin chi tiết

GNP3040TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Là một phần của dòng EcoGaN™ của ROHM, sản phẩm này tận dụng hiệu năng chuyển mạch tốc độ cao của GaN để giúp giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng, thu nhỏ các linh kiện ngoại vi, giảm khối lượng công việc thiết kế và số lượng linh kiện, góp phần vào thiết kế hệ thống tiết kiệm năng lượng và nhỏ gọn.

Tính năng chính

  • GaN HEMT E-mode 650V
  • Điện trở 40mΩ
  • Điện tích cổng 6.2nC

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
GNP3040TF-ZTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3040TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TOLT-16N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3050TD-ZTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3050TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TOLL-8N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3050TEC-ZE2

ROHM SemiconductorGNP3050TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

DFN8080CK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3070TEC-ZE2

ROHM SemiconductorGNP3070TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

DFN8080CK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3120TEC-ZE2

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3120TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

DFN8080CK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3120TJ-ZE1

ROHM SemiconductorGNP3120TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TO252-J3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

GNP3290TJ-ZE1

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3290TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.

TO252-J3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

R2P020N06HZGT100

ROHM SemiconductorR2P020N06HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới

MPT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá