GNP3050TD-ZTR
EcoGaN™, 650V 36A TOLL-8N, GaN HEMT (Gallium-Nitride) chế độ tăng cường
Đang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3050TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- GNP3050TD-ZTR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TOLL-8N
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang phát triển (Under Development)
- Mã gốc (Base Part No.)
- GNP3050TD-Z
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2000
- VDS [V]
- 650
- IDS [A]
- 36
- Định mức VGS [V]
- 7
- RDS(on) [mΩ]
- 50
- Qg [nC]
- 4.3
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước [mm]
- 11.68x9.9 (t=2.4)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 650 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 36A |
Thông tin chi tiết
GNP3050TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Là một phần của dòng EcoGaN™ của ROHM, sản phẩm tận dụng khả năng chuyển mạch tốc độ cao của GaN để giúp giảm mức tiêu thụ điện năng của ứng dụng, thu nhỏ linh kiện ngoại vi, giảm khối lượng công việc thiết kế và số lượng linh kiện, góp phần tạo nên các hệ thống tiết kiệm năng lượng và nhỏ gọn.
Tính năng chính
- GaN HEMT E-mode 650V
- Điện trở 50mΩ
- Điện tích cổng 4.3nC
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| GNP3050TEC-ZE2 ROHM SemiconductorGNP3050TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. DFN8080CK Datasheet (PDF) | DFN8080CK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3070TEC-ZE2 ROHM SemiconductorGNP3070TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. DFN8080CK Datasheet (PDF) | DFN8080CK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3120TEC-ZE2 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3120TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. DFN8080CK Datasheet (PDF) | DFN8080CK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3120TJ-ZE1 ROHM SemiconductorGNP3120TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TO252-J3F Datasheet (PDF) | TO252-J3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3290TJ-ZE1 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3290TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TO252-J3F Datasheet (PDF) | TO252-J3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R2P020N06HZGT100 ROHM SemiconductorR2P020N06HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R4P020N06HZGT100 ROHM SemiconductorR4P020N06HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R4P030N03HZGT100 ROHM SemiconductorR4P030N03HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
