GNP3120TJ-ZE1
EcoGaN™, 650V 14A TO252-J3F, GaN HEMT (Gallium-Nitride) chế độ E-mode
GNP3120TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- GNP3120TJ-ZE1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO252-J3F
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- GNP3120TJ-Z
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 3
- VDS [V]
- 650
- IDS [A]
- 14
- Định mức VGS [V]
- 7
- RDS(on) [mΩ]
- 120
- Qg [nC]
- 2.1
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước [mm]
- 6.6x10.1 (t=2.38)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 650 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 14A |
Thông tin chi tiết
GNP3120TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. Là một phần của dòng EcoGaN™ của ROHM, sản phẩm này tận dụng hiệu năng chuyển mạch tốc độ cao của GaN để giúp giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng, thu nhỏ các linh kiện ngoại vi, giảm khối lượng công việc thiết kế và số lượng linh kiện, góp phần vào thiết kế hệ thống tiết kiệm năng lượng và nhỏ gọn.
Tính năng chính
- GaN HEMT E-mode 650V
- Điện trở 120mΩ
- Điện tích cổng 2.1nC
- HBM ESD Class 1C (tiêu chuẩn JEDEC)
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| GNP3290TJ-ZE1 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3290TJ-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TO252-J3F Datasheet (PDF) | TO252-J3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R2P020N06HZGT100 ROHM SemiconductorR2P020N06HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R4P020N06HZGT100 ROHM SemiconductorR4P020N06HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R4P030N03HZGT100 ROHM SemiconductorR4P030N03HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới MPT3 Datasheet (PDF) | MPT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R5205PND3FRATL ROHM SemiconductorR5205PND3FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. MOSFET kênh N 525V kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ TO-252. Lý tưởng cho ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6002END3TL1 ROHM SemiconductorR6002END3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6002ENHTB1 ROHM SemiconductorDòng R6xxxENx là các sản phẩm nhiễu thấp, Super Junction MOSFET, chú trọng tính dễ sử dụng. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6002JND4TL1 ROHM SemiconductorR6002JND4 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
