R6002ENHTB1
Power MOSFET nhiễu thấp 600V 1.7A SOP8
Dòng R6xxxENx là các sản phẩm nhiễu thấp, Super Junction MOSFET, chú trọng tính dễ sử dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- R6002ENHTB1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SOP8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- R6002ENH
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 7 năm
- Mã vỏ
- SOP8
- Ứng dụng
- Nguồn cấp
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 600
- Dòng drain ID [A]
- 1.7
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 2.8
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 2.8
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 6.5
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 2
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 10
- Trr (Typ.) [ns]
- 240
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Mã linh kiện die trần
- Có sẵn: K7412
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.75)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 600 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 1.7A |
Thông tin chi tiết
Dòng R6xxxENx là các sản phẩm nhiễu thấp, Super Junction MOSFET, chú trọng tính dễ sử dụng. Các sản phẩm trong dòng này đạt hiệu năng vượt trội cho các ứng dụng nhạy với nhiễu nhằm giảm nhiễu, như thiết bị âm thanh và chiếu sáng.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Dễ mắc song song
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| R6002JND4TL1 ROHM SemiconductorR6002JND4 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6003JND4TL1 ROHM SemiconductorR6003JND4 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6003KND3TL1 ROHM SemiconductorR6003KND3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6003KND4TL1 ROHM SemiconductorR6009KND3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6004END3TL1 ROHM SemiconductorPower MOSFET R6004END3 phù hợp cho nguồn chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6004END4TL1 ROHM SemiconductorPower MOSFET R6004END4 phù hợp cho nguồn chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6004ENXC7G ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. TO-220FM Datasheet (PDF) | TO-220FM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6004JND3TL1 ROHM SemiconductorR6004JND3 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
