R6002END3TL1
Power MOSFET nhiễu thấp 600V 2A TO-252
R6002END3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- R6002END3TL1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-252 (TL1)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- R6002END3
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 7 năm
- Mã vỏ
- TO-252 (DPAK)
- Vỏ JEITA
- SC-63
- Ứng dụng
- Nguồn cấp
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 600
- Dòng drain ID [A]
- 2
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 2.8
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 2.8
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 6.5
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 26
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 10
- Trr (Typ.) [ns]
- 240
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Mã linh kiện die trần
- Có sẵn: K7412
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 9.9x6.6 (t=2.4)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 600 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 2A |
Thông tin chi tiết
R6002END3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Chuyển mạch nhanh
- Mạch truyền động có thể đơn giản
- Dễ mắc song song
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| R6002ENHTB1 ROHM SemiconductorDòng R6xxxENx là các sản phẩm nhiễu thấp, Super Junction MOSFET, chú trọng tính dễ sử dụng. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6002JND4TL1 ROHM SemiconductorR6002JND4 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6003JND4TL1 ROHM SemiconductorR6003JND4 là Power MOSFET có thời gian phục hồi ngược (trr) nhanh, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6003KND3TL1 ROHM SemiconductorR6003KND3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6003KND4TL1 ROHM SemiconductorR6009KND3 là Power MOSFET điện trở ON thấp và chuyển mạch nhanh, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6004END3TL1 ROHM SemiconductorPower MOSFET R6004END3 phù hợp cho nguồn chuyển mạch. TO-252 (TL1) Datasheet (PDF) | TO-252 (TL1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6004END4TL1 ROHM SemiconductorPower MOSFET R6004END4 phù hợp cho nguồn chuyển mạch. SOT-223-3 Datasheet (PDF) | SOT-223-3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| R6004ENXC7G ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. TO-220FM Datasheet (PDF) | TO-220FM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
