BSS84XHZGG2CR
Độ tin cậy lắp đặt vượt trội, DFN1010, MOSFET tín hiệu nhỏ kênh P -60V -230mA cho ô tô
BSS84XHZG là MOSFET siêu nhỏ gọn mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. BSS84XHZG đạt chuẩn AEC-Q101, đảm bảo độ tin cậy và hiệu năng cấp ô tô trong điều kiện khắc nghiệt.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BSS84XHZGG2CR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- DFN1010-3W (Wettable Flank)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- BSS84XHZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 8000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- DFN1010-3W
- Số chân
- 3
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -60
- Dòng drain ID [A]
- -0.23
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 3.5
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 2.8
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 3.5
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 1
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -4.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 1.0x1.0 (t=0.45)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 60 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 230mA |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
BSS84XHZG là MOSFET siêu nhỏ gọn mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. BSS84XHZG đạt chuẩn AEC-Q101, đảm bảo độ tin cậy và hiệu năng cấp ô tô trong điều kiện khắc nghiệt. Công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền của ROHM mang lại chất lượng mối hàn ổn định ngay cả với sản phẩm loại điện cực dưới đáy. Giúp máy kiểm tra tự động dễ dàng xác nhận tình trạng mối hàn sau khi lắp. Cho phép thu nhỏ các linh kiện ô tô đòi hỏi chất lượng cao như ECU, module camera ADAS.
Tính năng chính
- Vỏ nhựa SMD không chân (leadless) siêu nhỏ với pad drain hở để dẫn nhiệt tốt (1.0×1.0×0.4mm)
- Side wettable Flank cho kiểm tra quang học tự động mối hàn (AOI). Pad bên mạ thiếc 100% có thể hàn, đảm bảo tối thiểu 125µm
- Đạt chuẩn AEC-Q101
- Truyền động -4.5V
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| GNP3018TD-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3018TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TOLL-8N Datasheet (PDF) | TOLL-8N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3018TF-ZTR ROHM SemiconductorGNP3018TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TOLT-16N Datasheet (PDF) | TOLT-16N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3028TD-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3028TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TOLL-8N Datasheet (PDF) | TOLL-8N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3028TF-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3028TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TOLT-16N Datasheet (PDF) | TOLT-16N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3040TD-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3040TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TOLL-8N Datasheet (PDF) | TOLL-8N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3040TEC-ZE2 ROHM SemiconductorGNP3040TEC-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. DFN8080CK Datasheet (PDF) | DFN8080CK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3040TF-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3040TF-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TOLT-16N Datasheet (PDF) | TOLT-16N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| GNP3050TD-ZTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. GNP3050TD-Z là GaN HEMT chế độ tăng cường (enhancement-mode) 650V. Phù hợp cho các ứng dụng như bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch cao và bộ chuyển đổi mật độ cao. TOLL-8N Datasheet (PDF) | TOLL-8N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
