AG541EGS4FRATCB
Power MOSFET kênh P -40V -120A, HPLF5060T5LSAH cho ô tô
AG541EGS4FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- AG541EGS4FRATCB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HPLF5060T5LSAH
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- AG541EGS4FRA
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- HPLF5060T5LSAH
- Số chân
- 5
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -40
- Dòng drain ID [A]
- -120
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0059
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0046
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0059
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 49
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 125
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -4.5
- Trr (Typ.) [ns]
- 41
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x4.9 (t=1.2)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 40 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 120A |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| AG542EGS4FRATCB ROHM SemiconductorAG542EGS4FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô. HPLF5060T5LSAH Datasheet (PDF) | HPLF5060T5LSAH | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| AG543EGS4FRATCB ROHM SemiconductorAG543EGS4FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô. HPLF5060T5LSAH Datasheet (PDF) | HPLF5060T5LSAH | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS138BKWT106 ROHM SemiconductorBSS138BKW là MOSFET kênh N đơn 60V 380mA, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS138BWAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS138BWAHZG là MOSFET kênh N đơn 60V 380mA kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS138WAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS138WAHZG là MOSFET kênh N đơn 60V 310mA kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS138WT106 ROHM SemiconductorBSS138W là MOSFET kênh N đơn 60V 310mA, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS84WAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS84WAHZG là MOSFET kênh P đơn -60V -0.21A kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOT-323 phổ biến trong ngành. Lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS84WT106 ROHM SemiconductorBSS84W là MOSFET kênh P đơn -60V -0.21A, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOT-323 phổ biến trong ngành. Lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
