2.123 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Cách đóng gói | Loại FET | Công nghệ | Điện áp D-S (Vdss) | Dòng máng liên tục (Id) | Rds On tối đa | Đặc điểm FET | Công suất tiêu tán tối đa | Nhiệt độ làm việc | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp | Vỏ | Vỏ theo hãng |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT4062KTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 25A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 25A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4062KW7HRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4062KW7HR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4062KW7TL ROHM SemiconductorSCT4062KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4062KWAHRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4062KWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4062KWATL ROHM SemiconductorSCT4062KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4065DEC11 ROHM SemiconductorSCT4065DE là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 25A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 25A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4065DEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4065DEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 25A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 25A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4065DLLTRDC ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TOLL (TO-LeadLess). Kiểu đóng gói TOLL có khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn, giảm diện tích chiếm dụng khoảng 26% so với kiểu đóng gói TO-263… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 26A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 26A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4065DRC15 ROHM SemiconductorSCT4065DR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 25A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 25A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4065DRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4065DRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 25A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 25A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4065DTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 24A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4065DTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 24A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4065DWAHRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4065DWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 22A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 22A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4065DWATL ROHM SemiconductorSCT4065DWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 22A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 22A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4090KEC11 ROHM SemiconductorSCT4090KE là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 19A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 19A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4090KEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4090KEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 19A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 19A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4090KRC15 ROHM SemiconductorSCT4090KR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 19A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 19A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4090KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4090KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 19A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 19A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4090KTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 18A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 18A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4090KTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 18A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 18A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4090KWAHRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4090KWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 17A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4090KWATL ROHM SemiconductorSCT4090KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 17A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SP8K80TB1 ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 10 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 10 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
