Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

SCT4062KW7TL

1200V, 24A, SMD 7 chân, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

SCT4062KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

SCT4062KW7TL, TO-263-7L

Thông số

Mã nhà sản xuất
SCT4062KW7TL
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-263-7L
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
SCT4062KW7
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
1000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Điện áp drain-source [V]
1200
Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
62
Thế hệ
4th Gen (Trench)
Dòng drain [A]
24
Tổng công suất tiêu tán [W]
93
Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))1200 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)24A
Kiểu lắp (Mounting Type)Surface Mount

Thông tin chi tiết

SCT4062KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Ưu điểm của MOSFET SiC thế hệ thứ 4 của ROHM: dòng này giảm khoảng 40% điện trở ON và khoảng 50% tổn hao chuyển mạch so với sản phẩm thông thường. Điện áp gate-source 15V giúp thiết kế ứng dụng dễ dàng hơn.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Tốc độ chuyển mạch nhanh
  • Phục hồi ngược nhanh
  • Dễ mắc song song
  • Dễ điều khiển
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
SCT4062KWAHRTL

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4062KWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7LA

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4062KWATL

ROHM SemiconductorSCT4062KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7LA

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4065DEC11

ROHM SemiconductorSCT4065DE là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4065DEHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4065DEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4065DLLTRDC

ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TOLL (TO-LeadLess). Kiểu đóng gói TOLL có khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn, giảm diện tích chiếm dụng khoảng 26% so với kiểu đóng gói TO-263…

TOLL

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4065DRC15

ROHM SemiconductorSCT4065DR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4065DRHRC15

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4065DRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4065DTWHRTCR

ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi…

TSC3PAK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá