SCT4090KRC15
1200V, 19A, THD 4 chân, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
SCT4090KR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT4090KRC15
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-247-4L
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT4090KR
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Ống (Tube)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 450
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 30
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 90
- Thế hệ
- 4th Gen (Trench)
- Dòng drain [A]
- 19
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 88
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 23.45x16.0 (t=5.2)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1200 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 19A |
Thông tin chi tiết
SCT4090KR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Ưu điểm của MOSFET SiC thế hệ thứ 4 của ROHM: dòng này giảm khoảng 40% điện trở ON và khoảng 50% tổn hao chuyển mạch so với sản phẩm thông thường. Điện áp gate-source 15V giúp thiết kế ứng dụng dễ dàng hơn.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Phục hồi ngược nhanh
- Dễ mắc song song
- Dễ điều khiển
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT4090KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4090KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4090KTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… TSC3PAK Datasheet (PDF) | TSC3PAK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4090KTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… TSC3PAK Datasheet (PDF) | TSC3PAK | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4090KWAHRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4090KWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7LA Datasheet (PDF) | TO-263-7LA | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT4090KWATL ROHM SemiconductorSCT4090KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7LA Datasheet (PDF) | TO-263-7LA | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SP8K80TB1 ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| AG011FGH7FRATCB ROHM SemiconductorAG011FGH7FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). DFN3333T8LSAB Datasheet (PDF) | DFN3333T8LSAB | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| AG012FGH7FRATCB ROHM SemiconductorAG012FGH7FRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho các hệ thống ô tô. DFN3333T8LSAB Datasheet (PDF) | DFN3333T8LSAB | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
