2.123 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Cách đóng gói | Loại FET | Công nghệ | Điện áp D-S (Vdss) | Dòng máng liên tục (Id) | Rds On tối đa | Đặc điểm FET | Công suất tiêu tán tối đa | Nhiệt độ làm việc | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp | Vỏ | Vỏ theo hãng |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RXH125N03TB1 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 30 V,Dòng máng liên tục (Id): 12.5A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12.5A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| RY7P250BMTBC ROHM SemiconductorRY7P250BM là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho Hot Swap Controller (HSC) Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 100 V,Dòng máng liên tục (Id): 300A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 300A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| RYM002N05T2CL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 0.9 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 0.9 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| RZM001P02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1.2 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1.2 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| RZM002P02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1.2 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1.2 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S2206 ROHM SemiconductorS2206 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 29A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 29A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S2301 ROHM SemiconductorS2301 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 40A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 40A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S2303 ROHM SemiconductorS2303 là MOSFET công suất SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 40A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 40A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S2305 ROHM SemiconductorS2305 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 10A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 10A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S2306 ROHM SemiconductorS2306 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 22A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 22A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S2307 ROHM SemiconductorS2307 là MOSFET công suất SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 68A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 68A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S2308 ROHM SemiconductorS2308 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 14A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 14A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4001 ROHM SemiconductorS4001 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 70A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 70A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4002 ROHM SemiconductorS4002 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 93A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 93A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4003 ROHM SemiconductorS4003 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 118A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 118A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4007 ROHM SemiconductorS4007 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 30A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4008 ROHM SemiconductorS4008 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 39A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 39A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4101 ROHM SemiconductorS4101 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 55A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 55A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4102 ROHM SemiconductorS4102 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 72A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 72A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4103 ROHM SemiconductorS4103 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 95A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 95A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4107 ROHM SemiconductorS4107 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| S4108 ROHM SemiconductorS4108 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT2080KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 40A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 40A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT2080KEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT2080KEHR là MOSFET SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 40A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 40A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT2160KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 22A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 22A | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
