2.123 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Cách đóng gói | Loại FET | Công nghệ | Điện áp D-S (Vdss) | Dòng máng liên tục (Id) | Rds On tối đa | Đặc điểm FET | Công suất tiêu tán tối đa | Nhiệt độ làm việc | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp | Vỏ | Vỏ theo hãng |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT2160KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 22A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 22A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT2280KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 14A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 14A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT2280KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 14A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 14A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT2450KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 10A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 10A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT2450KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 10A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 10A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT2750NWCTL1 ROHM SemiconductorSCT2750NWC là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1700 V,Dòng máng liên tục (Id): 5.6A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1700 V | 5.6A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT2H12NWBTL1 ROHM SemiconductorSCT2H12NWB là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1700 V,Dòng máng liên tục (Id): 3.9A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1700 V | 3.9A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT2H12NZGC11 ROHM SemiconductorNguồn phụ dùng trong thiết bị công nghiệp điện áp cao, công suất lớn thường sử dụng MOSFET silicon điện áp cao (>1000V). Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1000 V,Dòng máng liên tục (Id): 3.7A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 3.7A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3017ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3017AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 118A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 118A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3017ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3017ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 118A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 118A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3022ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3022AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 93A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 93A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3022ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 93A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 93A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3022KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3022KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 95A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 95A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3022KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 95A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 95A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3030ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3030AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 70A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 70A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3030ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 70A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 70A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3030ARC15 ROHM SemiconductorSCT3030AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 70A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 70A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3030ARHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030ARHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 70A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 70A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3030AW7TL ROHM SemiconductorSCT3030AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 70A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 70A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3030KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3030KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 72A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 72A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3030KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 72A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 72A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3040KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3040KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 55A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 55A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3040KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3040KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 55A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 55A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3040KRC15 ROHM SemiconductorSCT3040KR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nhiều ứng dụng, gồm nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời, nguồn xung, điều khiển động cơ, gia nhiệt cảm ứng và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 55A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 55A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3040KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3040KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 55A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 55A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — |
