Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

SCT2H12NZGC11

1700V, 3.7A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Nguồn phụ dùng trong thiết bị công nghiệp điện áp cao, công suất lớn thường sử dụng MOSFET silicon điện áp cao (>1000V).

SCT2H12NZGC11, TO-3PFM

Thông số

Mã nhà sản xuất
SCT2H12NZGC11
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-3PFM
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
SCT2H12NZ
Kiểu đóng gói (Packing)
Ống (Tube)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
450
Số lượng đóng gói tối thiểu
30
Điện áp drain-source [V]
1700
Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
1150
Thế hệ
2nd Gen (Planar)
Dòng drain [A]
3.7
Tổng công suất tiêu tán [W]
35
Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))1000 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)3.7A

Thông tin chi tiết

Nguồn phụ dùng trong thiết bị công nghiệp điện áp cao, công suất lớn thường sử dụng MOSFET silicon điện áp cao (>1000V). Tuy nhiên, thay thế bằng MOSFET SiC hiệu suất cao có thể giảm đáng kể sinh nhiệt, loại bỏ nhu cầu về các linh kiện bên ngoài như tản nhiệt. Gần đây ROHM đã mở rộng đáng kể dòng sản phẩm bằng cách cung cấp MOSFET SiC loại 1700V cùng với bo mạch đánh giá giúp kiểm chứng hiệu năng và phát triển ứng dụng. Chúng tôi cung cấp bo mạch đánh giá (BD7682FJ-LB-EVK-402) trang bị IC điều khiển bộ chuyển đổi DC-DC "BD7682FJ-LB", giúp phát huy tối đa hiệu năng của MOSFET công suất SiC.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Tốc độ chuyển mạch nhanh
  • Khoảng cách creepage dài
  • Dễ điều khiển
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
SCT3017ALGC11

ROHM SemiconductorSCT3017AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3017ALHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3017ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3022ALGC11

ROHM SemiconductorSCT3022AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3022ALHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3022KLGC11

ROHM SemiconductorSCT3022KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3022KLHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3030ALGC11

ROHM SemiconductorSCT3030AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3030ALHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá