SCT3017ALGC11
650V, 118A, THD, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
SCT3017AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT3017ALGC11
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-247N
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT3017AL
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Ống (Tube)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 450
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 30
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 8 năm
- Điện áp drain-source [V]
- 650
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 17
- Thế hệ
- 3rd Gen (Trench)
- Dòng drain [A]
- 118
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 427
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 21.0x16.0 (t=5.2)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 650 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 118A |
Thông tin chi tiết
SCT3017AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Phục hồi ngược nhanh
- Dễ mắc song song
- Dễ điều khiển
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT3017ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3017ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3022AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3022KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3030AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030ARC15 ROHM SemiconductorSCT3030AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
