Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

SCT3030KLHRC11

1200V, 72A, THD, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET dùng cho ô tô

Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

SCT3030KLHRC11, TO-247N

Thông số

Mã nhà sản xuất
SCT3030KLHRC11
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-247N
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
SCT3030KLHR
Kiểu đóng gói (Packing)
Ống (Tube)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
450
Số lượng đóng gói tối thiểu
30
Chương trình cung cấp dài hạn
8 năm
Điện áp drain-source [V]
1200
Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
30
Thế hệ
3rd Gen (Trench)
Dòng drain [A]
72
Tổng công suất tiêu tán [W]
339
Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))1200 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)72A
Cấp (Grade)Automotive
Tiêu chuẩn (Qualification)AEC-Q101

Thông tin chi tiết

Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Tốc độ chuyển mạch nhanh
  • Phục hồi ngược nhanh
  • Dễ mắc song song
  • Dễ điều khiển
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
  • Đạt chuẩn AEC-Q101

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
SCT3040KLGC11

ROHM SemiconductorSCT3040KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3040KLHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3040KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3040KRC15

ROHM SemiconductorSCT3040KR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nhiều ứng dụng, gồm nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời, nguồn xung, điều khiển động cơ, gia nhiệt cảm ứng và trạm sạc EV cần hiệu suất cao.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3040KRHRC15

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3040KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3040KW7TL

ROHM SemiconductorSCT3040KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3060ALGC11

ROHM SemiconductorSCT3060AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3060ALHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3060ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3060ARC15

ROHM SemiconductorSCT3060AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá