SCT3040KW7TL
1200V 56A, SMD 7 chân, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
SCT3040KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT3040KW7TL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-263-7L
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT3040KW7
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 40
- Thế hệ
- 3rd Gen (Trench)
- Dòng drain [A]
- 56
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 276
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 15.4x10.2 (t=4.7)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1200 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 56A |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Surface Mount |
Thông tin chi tiết
SCT3040KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Phục hồi ngược nhanh
- Dễ mắc song song
- Dễ điều khiển
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT3060ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3060AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3060ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060ARC15 ROHM SemiconductorSCT3060AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060ARHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3060ARHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060AW7TL ROHM SemiconductorSCT3060AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080ALGC11 ROHM SemiconductorMOSFET công suất SiC (Silicon Carbide) kênh N 650V 30A. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080ARC15 ROHM SemiconductorSCT3080AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời, trạm sạc EV, hệ thống gia nhiệt cảm ứng và điều khiển động cơ cần hiệu suất cao. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
