SCT3080ARC15
650V, 30A, THD 4 chân, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
SCT3080AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời, trạm sạc EV, hệ thống gia nhiệt cảm ứng và điều khiển động cơ cần hiệu suất cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT3080ARC15
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-247-4L
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT3080AR
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Ống (Tube)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 450
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 30
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 8 năm
- Điện áp drain-source [V]
- 650
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 80
- Thế hệ
- 3rd Gen (Trench)
- Dòng drain [A]
- 30
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 134
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 23.45x16.0 (t=5.2)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 650 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 30A |
Thông tin chi tiết
SCT3080AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời, trạm sạc EV, hệ thống gia nhiệt cảm ứng và điều khiển động cơ cần hiệu suất cao. Sử dụng kiểu đóng gói 4 chân mới tách riêng chân source công suất và chân source driver, cho phép phát huy tối đa hiệu năng chuyển mạch tốc độ cao. Điều này cải thiện đặc biệt tổn hao khi bật (turn ON), nhờ đó tổng tổn hao turn ON và turn OFF có thể giảm tới 35% so với kiểu đóng gói 3 chân thông thường (TO-247N). Là nhà tiên phong và dẫn đầu ngành về công nghệ SiC, ROHM là nhà cung cấp đầu tiên sản xuất hàng loạt MOSFET loại trench giúp cải thiện hiệu suất hơn nữa đồng thời giảm tiêu thụ điện năng so với các MOSFET SiC hiện có.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Phục hồi ngược nhanh
- Dễ mắc song song
- Dễ điều khiển
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT3080ARHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080ARHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080AW7TL ROHM SemiconductorSCT3080AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3080KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080KRC15 ROHM SemiconductorSCT3080KR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080KW7TL ROHM SemiconductorSCT3080KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3105KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3105KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
