SCT2750NWCTL1
1700V, 5.6A, SMD 7 chân, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
SCT2750NWC là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT2750NWCTL1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-263CA-7LSHYAD
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT2750NWC
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 800
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Điện áp drain-source [V]
- 1700
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 750
- Thế hệ
- 2nd Gen (Planar)
- Dòng drain [A]
- 5.6
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 53
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 15.5x10.2 (t=4.7)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1700 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 5.6A |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Surface Mount |
Thông tin chi tiết
SCT2750NWC là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Khoảng cách creepage rộng = 6.1 mm
- Dễ điều khiển
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT2H12NWBTL1 ROHM SemiconductorSCT2H12NWB là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263CA-7LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263CA-7LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2H12NZGC11 ROHM SemiconductorNguồn phụ dùng trong thiết bị công nghiệp điện áp cao, công suất lớn thường sử dụng MOSFET silicon điện áp cao (>1000V). TO-3PFM Datasheet (PDF) | TO-3PFM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3017ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3017AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3017ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3017ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3022AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3022KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
