S4107
MOSFET Silicon-carbide (SiC) 1200V, 24A, dạng Bare Die
S4107 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- S4107
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 0
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 105
- Thế hệ
- 3rd Gen
- Dòng drain [A]
- 24
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1200 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 24A |
Thông tin chi tiết
S4107 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Để mua Bare Die, vui lòng liên hệ văn phòng bán hàng của chúng tôi để biết thông số kỹ thuật. Hiện tại chúng tôi không bán Bare Die qua các nhà phân phối trên internet.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Phục hồi ngược nhanh
- Dễ mắc song song
- Dễ điều khiển
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| S4108 ROHM SemiconductorS4108 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2080KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2080KEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT2080KEHR là MOSFET SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2160KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2160KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2280KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2280KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2450KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
