SCT2080KEGC11
1200V, 40A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Đây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT2080KEGC11
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-247N
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT2080KE
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Ống (Tube)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 450
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 30
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 80
- Thế hệ
- 2nd Gen (Planar)
- Dòng drain [A]
- 40
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 262
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 21.0x16.0 (t=5.2)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1200 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 40A |
Thông tin chi tiết
Đây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Tính năng chính
- Chuyển mạch tốc độ cao
- Điện trở ON thấp
- Qrr và trr của body diode thấp
- Đảm bảo độ tin cậy khi body diode dẫn
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT2080KEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT2080KEHR là MOSFET SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2160KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2160KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2280KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2280KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2450KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2450KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2750NWCTL1 ROHM SemiconductorSCT2750NWC là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263CA-7LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263CA-7LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
