SCT2160KEGC11
1200V, 22A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Đây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SCT2160KEGC11
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-247N
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SCT2160KE
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Ống (Tube)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 450
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 30
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 160
- Thế hệ
- 2nd Gen (Planar)
- Dòng drain [A]
- 22
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 165
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 21.0x16.0 (t=5.2)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1200 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 22A |
Thông tin chi tiết
Đây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Phục hồi ngược nhanh
- Dễ mắc song song
- Dễ điều khiển
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT2160KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2280KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2280KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2450KEGC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2450KEHRC11 ROHM SemiconductorĐây là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Sản phẩm có các đặc điểm chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2750NWCTL1 ROHM SemiconductorSCT2750NWC là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263CA-7LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263CA-7LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2H12NWBTL1 ROHM SemiconductorSCT2H12NWB là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). (Không đóng chung SiC-SBD) Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263CA-7LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263CA-7LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT2H12NZGC11 ROHM SemiconductorNguồn phụ dùng trong thiết bị công nghiệp điện áp cao, công suất lớn thường sử dụng MOSFET silicon điện áp cao (>1000V). TO-3PFM Datasheet (PDF) | TO-3PFM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
