RY7P250BMTBC
Power MOSFET kênh N 100V 300A, DFN8080-8S, Wide-SOA
RY7P250BM là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho Hot Swap Controller (HSC)
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RY7P250BMTBC
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- DFN8080T8LSHAAI
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RY7P250BM
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- DFN8080-8S
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 100
- Dòng drain ID [A]
- 300
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.00143
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.00143
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 170
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 340
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 10
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 8.0x8.0 (t=1.1)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 100 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 300A |
Thông tin chi tiết
RY7P250BM là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho Hot Swap Controller (HSC)
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (DFN8080)
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
- Wide-SOA
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RYM002N05T2CL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RZM001P02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RZM002P02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2206 ROHM SemiconductorS2206 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2301 ROHM SemiconductorS2301 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2303 ROHM SemiconductorS2303 là MOSFET công suất SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2305 ROHM SemiconductorS2305 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2306 ROHM SemiconductorS2306 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
