S2206
MOSFET Silicon-carbide (SiC) 650V, 29A, dạng Bare Die
S2206 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- S2206
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 0
- Điện áp drain-source [V]
- 650
- Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
- 120
- Thế hệ
- 2nd Gen
- Dòng drain [A]
- 29
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 650 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 29A |
Thông tin chi tiết
S2206 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Để mua Bare Die, vui lòng liên hệ văn phòng bán hàng của chúng tôi để biết thông số kỹ thuật. Hiện tại chúng tôi không bán Bare Die qua các nhà phân phối trên internet.
Tính năng chính
- · Điện trở ON thấp
- · Tốc độ chuyển mạch nhanh
- · Phục hồi ngược nhanh
- · Dễ mắc song song
- · Điều khiển đơn giản
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| S2301 ROHM SemiconductorS2301 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2303 ROHM SemiconductorS2303 là MOSFET công suất SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2305 ROHM SemiconductorS2305 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2306 ROHM SemiconductorS2306 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2307 ROHM SemiconductorS2307 là MOSFET công suất SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2308 ROHM SemiconductorS2308 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4001 ROHM SemiconductorS4001 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4002 ROHM SemiconductorS4002 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |