| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BRCC008GWZ-5TR ROHM SemiconductorBRCC008GWZ-5 là EEPROM nối tiếp 8Kbit giao diện bus I²C. UCSP30L1 Datasheet (PDF) | UCSP30L1 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BRCD008GWZ-5TR ROHM SemiconductorBRCD008GWZ-5 là EEPROM nối tiếp 8 Kbit giao diện bus I²C. UCSP30L1 Datasheet (PDF) | UCSP30L1 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BRCD032GWZ-5E2 ROHM SemiconductorBRCD032GWZ-5 là EEPROM nối tiếp 32Kbit giao diện bus I²C. UCSP30L1 Datasheet (PDF) | UCSP30L1 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BRCE032GWZ-5E2 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. BRCE032GWZ-5 là EEPROM nối tiếp 32 Kbit giao diện bus I²C. UCSP30L1 Datasheet (PDF) | UCSP30L1 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSM300D12P4G101 ROHM SemiconductorBSM300D12P4G101 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng. G Type Datasheet (PDF) | G Type | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSM450D12P4G102 ROHM SemiconductorBSM450D12P4G102 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng. G Type Datasheet (PDF) | G Type | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSM600D12P4G103 ROHM SemiconductorBSM600D12P4G103 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng. G Type Datasheet (PDF) | G Type | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS138BKWT106 ROHM SemiconductorBSS138BKW là MOSFET kênh N đơn 60V 380mA, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS138BWAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS138BWAHZG là MOSFET kênh N đơn 60V 380mA kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS138WAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS138WAHZG là MOSFET kênh N đơn 60V 310mA kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS138WT106 ROHM SemiconductorBSS138W là MOSFET kênh N đơn 60V 310mA, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ UMT3. Sản phẩm lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía thấp (low-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS84WAHZGT106 ROHM SemiconductorBSS84WAHZG là MOSFET kênh P đơn -60V -0.21A kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOT-323 phổ biến trong ngành. Lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS84WT106 ROHM SemiconductorBSS84W là MOSFET kênh P đơn -60V -0.21A, kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOT-323 phổ biến trong ngành. Lý tưởng cho mạch chuyển mạch, load switch phía cao (high-side) và ứng dụng driver rơ-le. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BSS84XHZGG2CR ROHM SemiconductorBSS84XHZG là MOSFET siêu nhỏ gọn mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. BSS84XHZG đạt chuẩn AEC-Q101, đảm bảo độ tin cậy và hiệu năng cấp ô tô trong điều kiện khắc nghiệt. DFN1010-3W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1010-3W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST25B2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST25B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST25T2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST25T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST31B1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST31B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST31T1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST31T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST38B2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST38B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST38T2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST38T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST400D12P4A101 ROHM SemiconductorBST400D12P4A101 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV. A Type (Small) Datasheet (PDF) | A Type (Small) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST47B1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST47B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST47T1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST47T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST500D08P4A104 ROHM SemiconductorBST500D08P4A104 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV. A Type (Small) Datasheet (PDF) | A Type (Small) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST70B2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST70B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
