BST400D12P4A101
TRCDRIVE pack™, 1200V, 394A, nửa cầu (Half-bridge), module công suất SiC cấp ô tô
BST400D12P4A101 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BST400D12P4A101
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- A Type (Small)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Hộp các-tông (Corrugated Cardboard)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 80
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 40
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Dòng drain [A]
- 394
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 1667
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [℃]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [℃]
- -40
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [℃]
- 125
- Vỏ
- Half-Bridge
- Kích thước vỏ [mm]
- 41.6x52.5 (t=7.15)
- Tiêu chuẩn chung
- AQG 324 (cấp ô tô)
Thông tin chi tiết
BST400D12P4A101 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV.
Tính năng chính
- TRCDRIVE pack™
- với SiC-MOSFET thế hệ thứ 4
- VDSS = 1200V
- RDS(on) thấp
- Có thể chuyển mạch tốc độ cao
- Tổn hao chuyển mạch thấp
- Điện cảm ký sinh thấp - 5.7nH
- Tvjmax = 175℃
- Thiết kế nhỏ gọn
- Mật độ công suất cao
- Công nghệ tiếp điểm press-fit
- Tích hợp cảm biến nhiệt độ NTC
- Có thể lắp lên tản nhiệt bằng vật liệu giao diện nhiệt (TIM)
- Chân công suất có thể hàn
- Công nghệ Cu clip
- Công nghệ Ag sinter để gắn die
- Khả năng chịu chu kỳ công suất cao hơn
- Cách điện 4.2kV DC 1s
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BST47B1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST47B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST47T1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST47T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST500D08P4A104 ROHM SemiconductorBST500D08P4A104 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV. A Type (Small) Datasheet (PDF) | A Type (Small) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST70B2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST70B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST70M2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST70M2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST70T2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST70T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST91B1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST91B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST91T1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST91T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
