Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BST500D08P4A104

TRCDRIVE pack™, 750V, 506A, nửa cầu (Half-bridge), module công suất SiC cấp ô tô

BST500D08P4A104 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV.

BST500D08P4A104, A Type (Small)

Thông số

Mã nhà sản xuất
BST500D08P4A104
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
A Type (Small)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Kiểu đóng gói (Packing)
Hộp các-tông (Corrugated Cardboard)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
0
Điện áp drain-source [V]
750
Dòng drain [A]
506
Tổng công suất tiêu tán [W]
1667
Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [℃]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [℃]
-40
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [℃]
125
Vỏ
Half-Bridge
Kích thước vỏ [mm]
41.6x52.5 (t=7.15)
Tiêu chuẩn chung
AQG 324 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BST500D08P4A104 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV.

Tính năng chính

  • TRCDRIVE pack™
  • với SiC-MOSFET thế hệ thứ 4
  • VDSS = 750V
  • RDS(on) thấp
  • Có thể chuyển mạch tốc độ cao
  • Tổn hao chuyển mạch thấp
  • Điện cảm ký sinh thấp - 5.7nH
  • Tvjmax = 175℃
  • Thiết kế nhỏ gọn
  • Mật độ công suất cao
  • Công nghệ tiếp điểm press-fit
  • Tích hợp cảm biến nhiệt độ NTC
  • Có thể lắp lên tản nhiệt bằng vật liệu giao diện nhiệt (TIM)
  • Chân công suất có thể hàn
  • Công nghệ Cu clip
  • Công nghệ Ag sinter để gắn die
  • Khả năng chịu chu kỳ công suất cao hơn
  • Cách điện 4.2kV DC 1s

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BST70B2P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST70B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST70M2P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST70M2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST70T2P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST70T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST91B1P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST91B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST91T1P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST91T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCZ4004DTAC23

ROHM SemiconductorSCZ4004DTA là module SiC đúc (molded) định mức 750V. DOT-247 có dạng ghép hai linh kiện rời TO-247, cho phép đạt mật độ công suất cao.

DOT-247

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCZ4004DTBC23

ROHM SemiconductorSCZ4004DTB là module SiC đúc (molded) định mức 750V. DOT-247 có dạng ghép hai linh kiện rời TO-247, cho phép đạt mật độ công suất cao.

DOT-247

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCZ4006KTAC23

ROHM SemiconductorSCZ4006KTA là module SiC đúc (molded) định mức 1200V. DOT-247 có dạng ghép hai linh kiện rời TO-247, cho phép đạt mật độ công suất cao.

DOT-247

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá