BST25T2P4K01-VC
HSDIP20, 1200V, 25A, cầu 3 pha (3-Phase-bridge), module công suất SiC cấp ô tô / công nghiệp
BST25T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BST25T2P4K01-VC
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSDIP20
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Hộp các-tông (Corrugated Cardboard)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 180
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 60
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Dòng drain [A]
- 25
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 152
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [℃]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [℃]
- -40
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [℃]
- 125
- Vỏ
- 3-Phase-Bridge
- Kích thước vỏ [mm]
- 38.0x31.3 (t=3.5)
- Tiêu chuẩn chung
- AQG 324 (cấp ô tô)
Thông tin chi tiết
BST25T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. Điều này giúp duy trì nhiệt độ chip ổn định ngay cả ở điều kiện công suất cao, cho phép xử lý dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn. So với các linh kiện rời làm mát mặt trên, sản phẩm đạt mật độ công suất gấp hơn 3 lần, và gấp 1.4 lần so với các module DIP khác. Trong ứng dụng PFC, có thể giảm diện tích lắp đặt khoảng 52%, góp phần lớn vào việc thu nhỏ các mạch chuyển đổi công suất trong các ứng dụng như OBC. Với các mạch chuyển đổi công suất thiết yếu được tích hợp trong module, sản phẩm giảm khối lượng công việc thiết kế và cho phép thu nhỏ các mạch chuyển đổi công suất trong OBC và các ứng dụng khác. Là giải pháp then chốt cho hệ thống ô tô thế hệ mới, sản phẩm hỗ trợ phát triển hệ truyền động điện công suất cao, nhỏ gọn. Ví dụ ứng dụng: Hệ thống ô tô: Bộ sạc on-board, máy nén điện, v.v. Thiết bị công nghiệp: Trạm sạc EV, hệ thống V2X, servo AC, nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu PV, bộ điều hòa công suất, v.v.
Tính năng chính
- Đóng gói HSDIP20 với SiC-MOSFET thế hệ thứ 4
- VDSS = 1200V
- RDS(on) thấp
- Có thể chuyển mạch tốc độ cao
- Tổn hao chuyển mạch thấp
- Tvjmax = 175°C
- Thiết kế nhỏ gọn
- Có cách điện dẫn nhiệt cao
- Tích hợp cảm biến nhiệt độ NTC
- Cách điện 4.2kV AC 1s
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BST31B1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST31B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST31T1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST31T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST38B2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST38B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST38T2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST38T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST400D12P4A101 ROHM SemiconductorBST400D12P4A101 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV. A Type (Small) Datasheet (PDF) | A Type (Small) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST47B1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST47B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST47T1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST47T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST500D08P4A104 ROHM SemiconductorBST500D08P4A104 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV. A Type (Small) Datasheet (PDF) | A Type (Small) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
