BSM450D12P4G102
1200V, 447A, Half bridge, module công suất Full SiC với MOSFET trench
BSM450D12P4G102 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BSM450D12P4G102
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- G Type
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Hộp các-tông (Corrugated Cardboard)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 4
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 9 năm
- Điện áp drain-source [V]
- 1200
- Dòng drain [A]
- 447
- Tổng công suất tiêu tán [W]
- 1450
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [℃]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [℃]
- -40
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [℃]
- 125
- Vỏ
- Half-Bridge
- Kích thước vỏ [mm]
- 152.0x62.0 (t=18.0)
Thông tin chi tiết
BSM450D12P4G102 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng.
Tính năng chính
- Surge thấp, tổn hao chuyển mạch thấp.
- Có thể chuyển mạch tốc độ cao.
- Giảm sự phụ thuộc vào nhiệt độ.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM600D12P4G103 ROHM SemiconductorBSM600D12P4G103 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng. G Type Datasheet (PDF) | G Type | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST25B2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST25B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST25T2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST25T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST31B1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST31B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST31T1P4K01-VC ROHM SemiconductorBST31T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST38B2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST38B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST38T2P4K01-VC ROHM SemiconductorBST38T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc. HSDIP20 Datasheet (PDF) | HSDIP20 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BST400D12P4A101 ROHM SemiconductorBST400D12P4A101 là module nửa cầu gồm các SiC-MOSFET, phù hợp cho ứng dụng ô tô, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi và xe điện (hybrid) EV/HEV. A Type (Small) Datasheet (PDF) | A Type (Small) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
