Bỏ qua tới nội dung

Panasonic

PSX307

Máy làm sạch plasma PSX307/PSX307A (Plasma Cleaner)

Máy làm sạch plasma buồng bản cực song song, độ đồng đều cao: làm sạch bề mặt trước wire bond, flip-chip, tăng độ thấm underfill; PSX307A hỗ trợ wafer 300 mm.

PSX307

Thông số

Mã nhà sản xuất
NM-EFP1A/NM-EFP3A
Hãng sản xuất
Panasonic
Mã đặt hàng (Model No.)
NM-EFP1A
Phương pháp làm sạch
Parallel plate RF back-sputtering method
Khí phóng điện
Ar [option : O2]
Kích thước đế (mm)
L 50 x W 20 to L 250 x W 75 incl. S type option; L 50 x W 20 to L 330 x W 120 incl. M type option
Độ dày đế (mm)
0.5 to 2.0
Kích thước (mm) / khối lượng
W 930 x D 1,100 x H 1,450 / 555 kg; W 1,764 x D 1,100 x H 1,450 / 850 kg incl. S type option; W 1,764 x D 1,100 x H 1,450 / 770 kg incl. M type option
Nguồn điện
AC 1 pha 200 V, 2.00 kVA [Full Load 5.00 kVA]
Nguồn khí nén
0.49 MPa or more, 6.5 L/min [A.N.R.]
Mã khác cùng dòng
NM-EFP3A (thông số ở phần Thông tin chi tiết)

Thông tin chi tiết

Công nghệ buồng bản cực song song của PSX307 cho độ đồng đều ăn mòn vượt trội so với các hệ thống xử lý theo mẻ thông thường: làm sạch bề mặt trước khi wire bond hoặc gắn flip-chip, hoạt hoá bề mặt, cải thiện độ thấm underfill và bọc khuôn (mold).

Phiên bản PSX307A hỗ trợ cả quy trình mức wafer lẫn quy trình mức linh kiện trên đế truyền thống: xử lý bề mặt wafer trước lớp cách điện, sau lớp tái phân bố (RDL), sau gắn bi hoặc sau khi cắt để cải thiện công đoạn gắn die.

Tính năng chính

  • Công nghệ bản cực song song cho độ đồng đều cao
  • Xử lý đế hoặc wafer 300 mm, có hoặc không có khung cắt
  • Giám sát plasma theo thời gian thực (đã đăng ký sáng chế)
  • Truy xuất quy trình đến từng sản phẩm
  • Khí công nghệ Argon, Oxy hoặc hỗn hợp

Thông số kỹ thuật theo model

NM-EFP1A

Mã modelPSX307
Mã đặt hàng (Model No.)NM-EFP1A
Phương pháp làm sạchParallel plate RF back-sputtering method
Khí phóng điệnAr [option : O2]
Kích thước đế (mm)L 50 x W 20 to L 250 x W 75 incl. S type option
L 50 x W 20 to L 330 x W 120 incl. M type option
Độ dày đế (mm)0.5 to 2.0
Kích thước (mm) / khối lượngW 930 x D 1,100 x H 1,450 / 555 kg
W 1,764 x D 1,100 x H 1,450 / 850 kg incl. S type option
W 1,764 x D 1,100 x H 1,450 / 770 kg incl. M type option
Nguồn điệnAC 1 pha 200 V, 2.00 kVA [Full Load 5.00 kVA]
Nguồn khí nén0.49 MPa or more, 6.5 L/min [A.N.R.]

NM-EFP3A

Mã modelPSX307A
Mã đặt hàng (Model No.)NM-EFP3A
Phương pháp làm sạchParallel plate RF back-sputtering method
Khí phóng điệnAr [Option : O2, O2 + He]
Nguồn điệnAC 1 pha 200 / 208 / 220 / 230 / 240 ± 10 V, 50 / 60 Hz , 6.00 kVA
Nguồn khí nén0.49 MPa, 50 L/min［A.N.R］
Kích thước máy (mm)W 900 × D 1,150 × H 1,650
Khối lượng630 kg

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo Panasonic Connect. Liên hệ R&P để được tư vấn cấu hình, dây chuyền phù hợp và báo giá.

Mã tương tự

Mã tương tự
APX300-DM

PanasonicMáy cắt wafer bằng plasma không tiếp xúc: không hư hại, không bụi, die bền hơn, đường cắt hẹp đến 20 µm, wafer đến 300 mm.

Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

APX300-S

PanasonicMáy khắc khô (dry etch) plasma ICP với cuộn dây đa xoắn MS-ICP cho độ đồng đều cao, dùng cho linh kiện công suất, bộ lọc SAW, thiết bị truyền thông và MEMS.

Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

MD-P200

PanasonicMáy bond die năng suất cao với hệ đầu đồng bộ: 0,56 s/IC, cho die nhỏ, mỏng và gói nhiều die, đến 12 loại die.

Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

MD-P200US2

PanasonicMáy bond die bằng siêu âm nhiệt (thermosonic): 0,65 s/IC, độ chính xác gắn ±5 µm, die 0,25–6 mm, cấp từ khung wafer đến 8 inch hoặc khay.

Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

MD-P300

PanasonicMáy bond flip chip linh hoạt: flip chip C4, siêu âm nhiệt và ép nhiệt (TCB) trong một máy nhỏ gọn, ±5 µm, hỗ trợ wafer 300 mm.

Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá