APX300-DM
Máy cắt wafer bằng plasma APX300-DM (Plasma Dicer)
Máy cắt wafer bằng plasma không tiếp xúc: không hư hại, không bụi, die bền hơn, đường cắt hẹp đến 20 µm, wafer đến 300 mm.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- NM-EFE3AA/NM-EFE3AA-D
- Hãng sản xuất
- Panasonic
- Mã đặt hàng (Model No.)
- NM-EFE3AA
- Nguồn plasma
- ICP Plasma
- Khí công nghệ
- 4 Lines (standard) (Maximum 6 Lines: Chlorinated Gas, Fluoride Gas, Ar, O2, He, etc.)
- Kích thước wafer
- φ100 mm wafer with orientation flat (standard)
- Kích thước máy (mm)
- W 1,350 × D 2,230 × H 2,000 (Does not include touch panels, operation section and signal tower)
- Khối lượng
- 2,100 kg (differs depending on machine configuration)
- Nguồn điện
- AC 3 pha 200 / 208 / 220 / 230 / 240 ±10 V, 50 / 60 Hz, 21.00 kVA
- Nguồn khí nén
- 0.5 MPa to 0.7 MPa, 250 L/min (A.N.R.)
- Nguồn khí N2
- 0.1 MPa to 0.2 MPa, 50 L/min (A.N.R.)
- Mã khác cùng dòng
- NM-EFE3AA-D (thông số ở phần Thông tin chi tiết)
Thông tin chi tiết
Cắt wafer bằng plasma ngày càng hấp dẫn với thị trường bán dẫn. Die ngày càng nhỏ và mỏng, nhà sản xuất gặp nhiều khó khăn: hao vật liệu do bề rộng đường cắt, die bị mẻ do cắt cơ khí và thời gian xử lý ngày càng dài vì phải cắt cơ khí từng đường.
APX300-DM của Panasonic Connect giải quyết các thách thức này, cho sản phẩm chất lượng cao hơn với chi phí sản xuất thấp hơn. Máy phù hợp cho wafer mỏng, giòn và siêu mỏng: cắt không tiếp xúc, không hư hại, không bụi, không ứng suất, die bền, đường cắt hẹp đến 20 µm. Hỗ trợ wafer đến 300 mm, có cơ cấu bảo vệ băng và khung khỏi plasma khi cắt (đã đăng ký sáng chế).
Tính năng chính
- Từ một buồng đến tuỳ chọn cụm nhiều buồng (cluster) mở rộng được
- Quy trình không bụi, không hư hại
- Die bền hơn, hiệu suất (yield) cao hơn
- APX300 đạt chứng nhận CE
Thông số kỹ thuật theo model
NM-EFE3AA
| Mã model | APX300 |
|---|---|
| Mã đặt hàng (Model No.) | NM-EFE3AA |
| Nguồn plasma | ICP Plasma |
| Khí công nghệ | 4 Lines (standard) (Maximum 6 Lines: Chlorinated Gas, Fluoride Gas, Ar, O2, He, etc.) |
| Kích thước wafer | φ100 mm wafer with orientation flat (standard) |
| Kích thước máy (mm) | W 1,350 × D 2,230 × H 2,000 (Does not include touch panels, operation section and signal tower) |
| Khối lượng | 2,100 kg (differs depending on machine configuration) |
| Nguồn điện | AC 3 pha 200 / 208 / 220 / 230 / 240 ±10 V, 50 / 60 Hz, 21.00 kVA |
| Nguồn khí nén | 0.5 MPa to 0.7 MPa, 250 L/min (A.N.R.) |
| Nguồn khí N2 | 0.1 MPa to 0.2 MPa, 50 L/min (A.N.R.) |
NM-EFE3AA-D
| Mã model | APX300 |
|---|---|
| Mã đặt hàng (Model No.) | NM-EFE3AA-D |
| Nguồn plasma | ICP Plasma |
| Kích thước wafer | φ100mm / 150mm wafer with orientation flat φ200mm wafer with notch |
| Kích thước máy (mm) | [Load lock wafer Handling] W 1,350 x D 2,230 x H 2,000 (Exclude touch panel, operation section and signal tower) [Load lock wafer Handling] W 1,375 x D 2,600 x H 2,000 (Exclude touch panel, operation section and signal tower) |
| Khối lượng | 2,000 kg (Differs depending on machine configuration) |
| Nguồn điện | AC 3 pha 200 / 208 / 220 / 230 / 240 ±10 V, 50 / 60Hz, 21.00kVA |
| Nguồn khí nén | 0.5MPa to 0.7MPa, 250L/min (A.N.R.) |
| Nguồn khí N2 | 0.1MPa to 0.2MPa, 50L/min (A.N.R.) |
Tài liệu
- APX300-DM (NM-EFE3AA) Brochure (trang tải tài liệu của Panasonic, tiếng Anh)
- APX300-DM (NM-EFE3AA-D) Brochure (trang tải tài liệu của Panasonic, tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo Panasonic Connect. Liên hệ R&P để được tư vấn cấu hình, dây chuyền phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| APX300-S PanasonicMáy khắc khô (dry etch) plasma ICP với cuộn dây đa xoắn MS-ICP cho độ đồng đều cao, dùng cho linh kiện công suất, bộ lọc SAW, thiết bị truyền thông và MEMS. | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| MD-P200 PanasonicMáy bond die năng suất cao với hệ đầu đồng bộ: 0,56 s/IC, cho die nhỏ, mỏng và gói nhiều die, đến 12 loại die. | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| MD-P200US2 PanasonicMáy bond die bằng siêu âm nhiệt (thermosonic): 0,65 s/IC, độ chính xác gắn ±5 µm, die 0,25–6 mm, cấp từ khung wafer đến 8 inch hoặc khay. | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| MD-P300 PanasonicMáy bond flip chip linh hoạt: flip chip C4, siêu âm nhiệt và ép nhiệt (TCB) trong một máy nhỏ gọn, ±5 µm, hỗ trợ wafer 300 mm. | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| PSX307 PanasonicMáy làm sạch plasma buồng bản cực song song, độ đồng đều cao: làm sạch bề mặt trước wire bond, flip-chip, tăng độ thấm underfill; PSX307A hỗ trợ wafer 300 mm. | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
