2.123 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Cách đóng gói | Loại FET | Công nghệ | Điện áp D-S (Vdss) | Dòng máng liên tục (Id) | Rds On tối đa | Đặc điểm FET | Công suất tiêu tán tối đa | Nhiệt độ làm việc | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp | Vỏ | Vỏ theo hãng |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT3040KW7TL ROHM SemiconductorSCT3040KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 56A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 56A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3060ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3060AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 39A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 39A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3060ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3060ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 39A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 39A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3060ARC15 ROHM SemiconductorSCT3060AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 39A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 39A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3060ARHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3060ARHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 39A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 39A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3060AW7TL ROHM SemiconductorSCT3060AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 38A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 38A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3080ALGC11 ROHM SemiconductorMOSFET công suất SiC (Silicon Carbide) kênh N 650V 30A. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 30A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3080ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 30A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3080ARC15 ROHM SemiconductorSCT3080AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời, trạm sạc EV, hệ thống gia nhiệt cảm ứng và điều khiển động cơ cần hiệu suất cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 30A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3080ARHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080ARHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 30A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3080AW7TL ROHM SemiconductorSCT3080AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 29A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 29A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3080KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3080KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3080KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3080KRC15 ROHM SemiconductorSCT3080KR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3080KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 31A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3080KW7TL ROHM SemiconductorSCT3080KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 30A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 30A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3105KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3105KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3105KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3105KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3105KRC15 ROHM SemiconductorSCT3105KR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho trạm sạc xe điện, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và nguồn máy chủ cần hiệu suất cao. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3105KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3105KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 24A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3105KW7TL ROHM SemiconductorSCT3105KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 23A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 23A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3120ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3120AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 21A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 21A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT3120ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3120ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 21A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 21A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3120AW7TL ROHM SemiconductorSCT3120AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 650 V,Dòng máng liên tục (Id): 21A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 21A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3160KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3160KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 17A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
