Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

SCT3120ALHRC11

650V, 21A, THD, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET dùng cho ô tô

Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3120ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

SCT3120ALHRC11, TO-247N

Thông số

Mã nhà sản xuất
SCT3120ALHRC11
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-247N
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
SCT3120ALHR
Kiểu đóng gói (Packing)
Ống (Tube)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
450
Số lượng đóng gói tối thiểu
30
Chương trình cung cấp dài hạn
8 năm
Điện áp drain-source [V]
650
Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
120
Thế hệ
3rd Gen (Trench)
Dòng drain [A]
21
Tổng công suất tiêu tán [W]
103
Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))650 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)21A
Cấp (Grade)Automotive
Tiêu chuẩn (Qualification)AEC-Q101

Thông tin chi tiết

Sản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3120ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Tốc độ chuyển mạch nhanh
  • Phục hồi ngược nhanh
  • Dễ mắc song song
  • Dễ điều khiển
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
  • Đạt chuẩn AEC-Q101

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
SCT3120AW7TL

ROHM SemiconductorSCT3120AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3160KLGC11

ROHM SemiconductorSCT3160KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3160KLHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3160KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3160KW7HRTL

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3160KW7HR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3160KW7TL

ROHM SemiconductorSCT3160KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3160KWAHRTL

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3160KWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7LA

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT3160KWATL

ROHM SemiconductorSCT3160KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7LA

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4013DEC11

ROHM SemiconductorSCT4013DE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá