Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

SCT3160KWATL

1200V, 17A, SMD 7 chân, cấu trúc trench, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

SCT3160KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

SCT3160KWATL, TO-263-7LA

Thông số

Mã nhà sản xuất
SCT3160KWATL
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-263-7LA
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
SCT3160KWA
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
1000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Chương trình cung cấp dài hạn
8 năm
Điện áp drain-source [V]
1200
Điện trở dẫn drain-source (Typ.) [mΩ]
160
Thế hệ
3rd Gen (Trench)
Dòng drain [A]
17
Tổng công suất tiêu tán [W]
100
Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))1200 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)17A
Kiểu lắp (Mounting Type)Surface Mount

Thông tin chi tiết

SCT3160KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Tốc độ chuyển mạch nhanh
  • Phục hồi ngược nhanh
  • Dễ mắc song song
  • Dễ điều khiển
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
SCT4013DEC11

ROHM SemiconductorSCT4013DE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4013DEHRC11

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4013DEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247N

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4013DLLTRDC

ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TOLL (TO-LeadLess). Kiểu đóng gói TOLL có khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn, giảm diện tích chiếm dụng khoảng 26% so với kiểu đóng gói TO-263…

TOLL

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4013DRC15

ROHM SemiconductorSCT4013DR là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4013DRHRC15

ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4013DRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-247-4L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4013DTWHRTCR

ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi…

TSC3PAK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4013DTWTCR

ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi…

TSC3PAK

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

SCT4013DW7TL

ROHM SemiconductorSCT4013DW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh.

TO-263-7L

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá