2.123 mã linh kiện
| Ảnh | Mã linh kiện | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua | Cách đóng gói | Loại FET | Công nghệ | Điện áp D-S (Vdss) | Dòng máng liên tục (Id) | Rds On tối đa | Đặc điểm FET | Công suất tiêu tán tối đa | Nhiệt độ làm việc | Cấp | Tiêu chuẩn | Kiểu lắp | Vỏ | Vỏ theo hãng |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT3160KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3160KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 17A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT3160KW7HRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3160KW7HR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 17A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3160KW7TL ROHM SemiconductorSCT3160KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 17A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3160KWAHRTL ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3160KWAHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 17A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | — | — | ||
| SCT3160KWATL ROHM SemiconductorSCT3160KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 17A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4013DEC11 ROHM SemiconductorSCT4013DE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 105A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 105A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4013DEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4013DEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 105A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 105A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4013DLLTRDC ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TOLL (TO-LeadLess). Kiểu đóng gói TOLL có khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn, giảm diện tích chiếm dụng khoảng 26% so với kiểu đóng gói TO-263… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 120A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 120A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4013DRC15 ROHM SemiconductorSCT4013DR là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4013DRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4013DRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 105A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 105A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4013DTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 102A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 102A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4013DTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 102A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 102A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4013DW7TL ROHM SemiconductorSCT4013DW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 98A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 98A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4018KEC11 ROHM SemiconductorSCT4018KE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 81A, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 81A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4018KRC15 ROHM SemiconductorSCT4018KR là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4018KTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 79A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 79A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4018KTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 79A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 79A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4018KW7TL ROHM SemiconductorSCT4018KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 75A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 75A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4018KWATL ROHM SemiconductorSCT4018KWA là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 1200 V,Dòng máng liên tục (Id): 75A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 75A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4020DLLTRDC ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TOLL (TO-LeadLess). Kiểu đóng gói TOLL có khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn, giảm diện tích chiếm dụng khoảng 26% so với kiểu đóng gói TO-263… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 80A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 80A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4020DTWHRTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 69A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 69A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4020DTWTCR ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TSC3PAK. Với cấu trúc tản nhiệt phía trên có bề mặt tản nhiệt nằm ở mặt trên của vỏ, TSC3PAK đạt hiệu năng tản nhiệt tương đương các kiểu đóng gói xuyên lỗ thông thường trong khi… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 69A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 69A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — | ||
| SCT4026DEC11 ROHM SemiconductorSCT4026DE là MOSFET SiC góp phần thu nhỏ kích thước và giảm tiêu thụ điện năng của ứng dụng. Đây là sản phẩm thế hệ thứ 4 đạt điện trở ON thấp hàng đầu ngành mà không hy sinh thời gian chịu ngắn mạch. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| SCT4026DEHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT4026DEHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 56A,Cấp: Automotive, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 56A | — | — | — | — | Automotive | AEC-Q101 | — | — | — | ||
| SCT4026DLLTRDC ROHM SemiconductorSản phẩm này là MOSFET SiC kiểu đóng gói TOLL (TO-LeadLess). Kiểu đóng gói TOLL có khả năng tản nhiệt tuyệt vời và dòng điện lớn trong kích thước nhỏ gọn, giảm diện tích chiếm dụng khoảng 26% so với kiểu đóng gói TO-263… Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide)Điện áp D-S (Vdss): 750 V,Dòng máng liên tục (Id): 61A,Kiểu lắp: Surface Mount, Datasheet (PDF) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | — | — | MOSFET (Metal Oxide) | 750 V | 61A | — | — | — | — | — | — | Surface Mount | — | — |
