BM6GD11BFJ-LBE2
Gate driver 2500ch cách ly điện (galvanic isolation) cho GaN HEMT, điện áp cách ly 1Vrms
Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BM6GD11BFJ-LBE2
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SOP-JW8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- BM6GD11BFJ-LB
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Cấu hình
- Phía cao,phía thấp,Half-bridge
- Loại cách ly
- Cách ly
- Điện áp cách ly [Vrms]
- 2500
- Kênh
- 1
- Vcc1 (Min.) [V]
- 4.5
- Vcc1 (Max.) [V]
- 5.5
- Vcc2 (Min.) [V]
- 4.5
- Vcc2 (Max.) [V]
- 6
- Thời gian trễ I/O (Max.) [ns]
- Rise=8ns(typ)/ Fall=8ns(typ)
- Độ rộng xung đầu vào tối thiểu [ns]
- 65
- CMTI (Min.) [kV/μs]
- 150
- Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
- 125
- Giám sát nhiệt độ
- Không
- Kích thước vỏ [mm]
- 4.9x6.0 (t=1.65)
Thông tin chi tiết
Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BM6GD11BFJ-LB là gate driver 1-kênh có cách ly tích hợp, có thể điều khiển GaN HEMT ở tốc độ cao. Có điện áp cách ly2500 Vrms, thời gian trễ vào/ra tối đa 60ns và độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 65ns. Các chân ngõ ra driver phía source và phía sink được tách riêng. Các chân này tạo dạng sóng chuyển mạch với tốc độ thay đổi điện áp (slew rate) ở sườn lên và sườn xuống được chỉnh riêng bằng cách chèn điện trở giữa các chân cổng của GaN HEMT. Ngoài ra, chức năng khóa điện áp thấp (UVLO) được tích hợp ở phía ngõ vào (giữa VCC1 và GND1) và phía ngõ ra (giữa VCC2 và GND2).
Tính năng chính
- Cách ly điện (galvanic isolation) tích hợp
- Chức năng khóa điện áp thấp
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BD2310G-TR ROHM SemiconductorBD2310G là gate driver phía thấp (low-side) 1ch, có thể điều khiển Nch-FET và IGBT ngoài ở tốc độ cao. BD2310G có thể cấp dòng điện ngõ ra 4A trong vỏ nhỏ SSOP5. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2311ANVX-LBE2 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2311NVX-CE2 ROHM SemiconductorBD2311NVX-C là gate driver đơn có thể điều khiển GaN HEMT cực nhanh với xung hẹp, góp phần tăng tầm xa và độ chính xác cao cho LiDAR. Có thể cấp dòng điện ngõ ra 5.4A trong vỏ SON 6-chân nhỏ. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2312AGWL-LBTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. UCSP50L1C Datasheet (PDF) | UCSP50L1C | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2320UEFJ-LAE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ lâu dài trong thị trường công nghiệp. BD2320UEFJ-LA là gate driver phía cao và phía thấp có điện áp tối đa 100V, có thể điều khiển Nch-FET ngoài bằng phương pháp bootstrap. HTSOP-J8 Datasheet (PDF) | HTSOP-J8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD3GD02NVX-LBE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD3GD03NVX-LBE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD96340MFF-CE2 ROHM SemiconductorBD96340MFF-C là IC Driver MOSFET (DrMOS) được phát triển để dùng với các PMIC SoC ô tô của ROHM. VFN27FV5030 Datasheet (PDF) | VFN27FV5030 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
