Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD96340MFF-CE2

IC Driver MOSFET cho ô tô

BD96340MFF-C là IC Driver MOSFET (DrMOS) được phát triển để dùng với các PMIC SoC ô tô của ROHM.

BD96340MFF-CE2, VFN27FV5030

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD96340MFF-CE2
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
VFN27FV5030
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD96340MFF-C
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
3
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
125
Số kênh [ch]
1
Vcc1 (Min.) [V]
2.7
Vcc1 (Max.) [V]
5.5
Dòng tải [A]
20
Dòng đỉnh [A]
30
Kích thước vỏ [mm]
5.0x3.0 (t=1.0)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q100 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BD96340MFF-C là IC Driver MOSFET (DrMOS) được phát triển để dùng với các PMIC SoC ô tô của ROHM. Hỗ trợ dòng ra liên tục đến 20 A và dòng đỉnh 30 A, IC kết hợp với các PMIC SoC ô tô của ROHM để tạo cấu hình nguồn có thể mở rộng, đáp ứng yêu cầu ngày càng cao về điện áp thấp, dòng lớn của SoC. Linh kiện đạt chuẩn AEC-Q100 và hỗ trợ phân tích an toàn chức năng cho ứng dụng ô tô. IC cũng tích hợp các chức năng bảo vệ như OCP, TSD, UVLO và OVLO, phù hợp cho các hệ thống ô tô độ tin cậy cao như hệ thống hỗ trợ lái xe nâng cao, hệ thống giám sát người lái và camera cảm biến.

Tính năng chính

  • Đạt chuẩn AEC-Q100
  • Sản phẩm ô tô hỗ trợ an toàn chức năng
  • Tích hợp MOSFET có khả năng cho dòng ra liên tục đến 20 A và dòng ra đỉnh 30 A
  • Tích hợp bảo vệ: OCP (bảo vệ quá dòng), TSD (ngắt khi quá nhiệt)
  • Tích hợp UVLO (Under Voltage Lockout), OVLO (Over Voltage Lockout)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BM6GD11BFJ-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

SOP-JW8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2310G-TR

ROHM SemiconductorBD2310G là gate driver phía thấp (low-side) 1ch, có thể điều khiển Nch-FET và IGBT ngoài ở tốc độ cao. BD2310G có thể cấp dòng điện ngõ ra 4A trong vỏ nhỏ SSOP5.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2311ANVX-LBE2

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2311NVX-CE2

ROHM SemiconductorBD2311NVX-C là gate driver đơn có thể điều khiển GaN HEMT cực nhanh với xung hẹp, góp phần tăng tầm xa và độ chính xác cao cho LiDAR. Có thể cấp dòng điện ngõ ra 5.4A trong vỏ SON 6-chân nhỏ.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2312AGWL-LBTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

UCSP50L1C

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2320UEFJ-LAE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ lâu dài trong thị trường công nghiệp. BD2320UEFJ-LA là gate driver phía cao và phía thấp có điện áp tối đa 100V, có thể điều khiển Nch-FET ngoài bằng phương pháp bootstrap.

HTSOP-J8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD3GD02NVX-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD3GD03NVX-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá