BD3GD03NVX-LBE2
Gate driver tốc độ cao 4ch 6A/1A có LDO tích hợp cho GaN HEMT
Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BD3GD03NVX-LBE2
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SSON06RX2020
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- BD3GD03NVX-LB
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 4000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Cấu hình
- Phía thấp
- Loại cách ly
- Không cách ly
- Kênh
- 1
- Vcc1 (Min.) [V]
- 5.25
- Vcc1 (Max.) [V]
- 18
- Thời gian trễ I/O (Max.) [ns]
- Rise=14ns(typ)/ Fall=14ns(typ)
- Độ rộng xung đầu vào tối thiểu [ns]
- 10
- Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
- 125
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.0x2.0 (t=0.6)
Thông tin chi tiết
Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao. Mạch gate driver tốc độ cao cho GaN HEMT và LDO tạo điện áp điều khiển cổng được tích hợp trong vỏ SON 6-chân nhỏ gọn, tối ưu đặc biệt để điều khiển các linh kiện GaN HEMT chế độ E-mode. Vì ngõ vào tương thích với điện áp điều khiển cổng của Si FET nên có thể nối vào đường điều khiển cổng Si FET của hệ thống sẵn có để điều khiển GaN HEMT mà không cần sửa đổi hệ thống. Các chân ngõ ra được chia thành chân điều khiển source và sink, tốc độ thay đổi điện áp (slew rate) phía source và sink có thể điều chỉnh riêng bằng điện trở ngoài. Về chức năng bảo vệ, có mạch chống hoạt động sai khi ngõ vào thấp (UVLO) giữa VDD và GND và mạch bảo vệ điện áp ngõ ra thấp (UVP) giữa VREG và GND.
Tính năng chính
- LDO tích hợp để điều khiển điện áp điều khiển cổng.
- Dải điện áp ngõ vào hoạt động rộng.
- Hỗ trợ ngõ vào hoạt động không đảo và đảo.
- Độ trễ truyền thấp.
- Tích hợp bảo vệ UVLO cho VDD.
- Tích hợp bảo vệ UVP cho VREG.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BD96340MFF-CE2 ROHM SemiconductorBD96340MFF-C là IC Driver MOSFET (DrMOS) được phát triển để dùng với các PMIC SoC ô tô của ROHM. VFN27FV5030 Datasheet (PDF) | VFN27FV5030 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BM6GD11BFJ-LBE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. SOP-JW8 Datasheet (PDF) | SOP-JW8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2310G-TR ROHM SemiconductorBD2310G là gate driver phía thấp (low-side) 1ch, có thể điều khiển Nch-FET và IGBT ngoài ở tốc độ cao. BD2310G có thể cấp dòng điện ngõ ra 4A trong vỏ nhỏ SSOP5. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2311ANVX-LBE2 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2311NVX-CE2 ROHM SemiconductorBD2311NVX-C là gate driver đơn có thể điều khiển GaN HEMT cực nhanh với xung hẹp, góp phần tăng tầm xa và độ chính xác cao cho LiDAR. Có thể cấp dòng điện ngõ ra 5.4A trong vỏ SON 6-chân nhỏ. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2312AGWL-LBTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. UCSP50L1C Datasheet (PDF) | UCSP50L1C | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2320UEFJ-LAE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ lâu dài trong thị trường công nghiệp. BD2320UEFJ-LA là gate driver phía cao và phía thấp có điện áp tối đa 100V, có thể điều khiển Nch-FET ngoài bằng phương pháp bootstrap. HTSOP-J8 Datasheet (PDF) | HTSOP-J8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD3GD02NVX-LBE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
