Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD2310G-TR

Gate driver phía thấp (low-side) tốc độ cao 1ch 4A

BD2310G là gate driver phía thấp (low-side) 1ch, có thể điều khiển Nch-FET và IGBT ngoài ở tốc độ cao. BD2310G có thể cấp dòng điện ngõ ra 4A trong vỏ nhỏ SSOP5.

BD2310G-TR, SSOP5

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD2310G-TR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SSOP5
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD2310G
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Chương trình cung cấp dài hạn
8 năm
Kênh
1
Dòng đầu ra tối thiểu Io+ [mA]
4000
Dòng đầu ra tối thiểu Io- [mA]
4000
Thời gian bật/tắt (Typ.) [ns]
15/15
Vcc (Min.) [V]
4.5
Vcc (Max.) [V]
18
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
125
Kích thước vỏ [mm]
2.9x2.8 (t=1.25)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Driver cổng
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Cách đóng gói (Package)Tape & Reel (TR)

Thông tin chi tiết

BD2310G là gate driver phía thấp (low-side) 1ch, có thể điều khiển Nch-FET và IGBT ngoài ở tốc độ cao. BD2310G có thể cấp dòng điện ngõ ra 4A trong vỏ nhỏ SSOP5. Driver này có chân VREF cho điện áp cấp logic ngõ vào ngoài, dải điện áp từ 2.0V đến 5.5V. Về chức năng bảo vệ, driver có khóa điện áp thấp (UVLO) giữa VCC và GND.

Tính năng chính

  • Dải điện áp điều khiển cổng 4.5V đến 18V
  • Tích hợp khóa điện áp thấp (UVLO) giữa VCC và GND
  • Dải điện áp logic ngõ vào 2.0V đến 5.5V
  • Ngõ ra cùng pha với tín hiệu ngõ vào
  • Vỏ nhỏ SSOP5

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD2311ANVX-LBE2

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2311NVX-CE2

ROHM SemiconductorBD2311NVX-C là gate driver đơn có thể điều khiển GaN HEMT cực nhanh với xung hẹp, góp phần tăng tầm xa và độ chính xác cao cho LiDAR. Có thể cấp dòng điện ngõ ra 5.4A trong vỏ SON 6-chân nhỏ.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2312AGWL-LBTR

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

UCSP50L1C

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2320UEFJ-LAE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ lâu dài trong thị trường công nghiệp. BD2320UEFJ-LA là gate driver phía cao và phía thấp có điện áp tối đa 100V, có thể điều khiển Nch-FET ngoài bằng phương pháp bootstrap.

HTSOP-J8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD3GD02NVX-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD3GD03NVX-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD96340MFF-CE2

ROHM SemiconductorBD96340MFF-C là IC Driver MOSFET (DrMOS) được phát triển để dùng với các PMIC SoC ô tô của ROHM.

VFN27FV5030

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM6GD11BFJ-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

SOP-JW8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá