Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD2312AGWL-LBTR

Gate driver một kênh cực nhanh

Đang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

BD2312AGWL-LBTR, UCSP50L1C

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD2312AGWL-LBTR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
UCSP50L1C
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang phát triển (Under Development)
Mã gốc (Base Part No.)
BD2312AGWL-LB
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Cấu hình
Phía thấp
Loại cách ly
Không cách ly
Kênh
1
Vcc1 (Min.) [V]
4.5
Vcc1 (Max.) [V]
5.5
Thời gian trễ I/O (Max.) [ns]
Rise=3.4ns(typ)/ Fall=3.0ns(typ)
Độ rộng xung đầu vào tối thiểu [ns]
1.25
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
125
Kích thước vỏ [mm]
0.8x1.2 (t=0.57)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Driver cổng
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Cách đóng gói (Package)Tape & Reel (TR)

Thông tin chi tiết

Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD2312AGWL-LB là gate driver đơn có thể điều khiển GaN HEMT cực nhanh với xung hẹp, góp phần tăng tầm xa và độ chính xác cao cho LiDAR. Có thể cấp dòng điện ngõ ra 5.4 A trong vỏ WLCSP 6-chân nhỏ. Về chức năng bảo vệ, driver có khóa điện áp thấp (UVLO) giữa VCC và GND.

Tính năng chính

  • Dải điện áp gate driver 4.5 V đến 5.5 V
  • Độ rộng xung ngõ vào tối thiểu 1.25 ns (tải 220 pF)
  • Thời gian tăng điển hình 0.65 ns (tải 220 pF)
  • Thời gian giảm điển hình 0.70 ns (tải 220 pF)
  • Tích hợp khóa điện áp thấp (UVLO) giữa VCC và GND
  • Ngõ vào đảo và không đảo
  • Vỏ CSP UCSP50L1C (6Pin)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự

Mã tương tự
BD2320UEFJ-LAE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ lâu dài trong thị trường công nghiệp. BD2320UEFJ-LA là gate driver phía cao và phía thấp có điện áp tối đa 100V, có thể điều khiển Nch-FET ngoài bằng phương pháp bootstrap.

HTSOP-J8

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD3GD02NVX-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD3GD03NVX-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD96340MFF-CE2

ROHM SemiconductorBD96340MFF-C là IC Driver MOSFET (DrMOS) được phát triển để dùng với các PMIC SoC ô tô của ROHM.

VFN27FV5030

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BM6GD11BFJ-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

SOP-JW8

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2310G-TR

ROHM SemiconductorBD2310G là gate driver phía thấp (low-side) 1ch, có thể điều khiển Nch-FET và IGBT ngoài ở tốc độ cao. BD2310G có thể cấp dòng điện ngõ ra 4A trong vỏ nhỏ SSOP5.

SSOP5

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2311ANVX-LBE2

ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD2311NVX-CE2

ROHM SemiconductorBD2311NVX-C là gate driver đơn có thể điều khiển GaN HEMT cực nhanh với xung hẹp, góp phần tăng tầm xa và độ chính xác cao cho LiDAR. Có thể cấp dòng điện ngõ ra 5.4A trong vỏ SON 6-chân nhỏ.

SSON06RX2020

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá