BD2320UEFJ-LAE2
Driver phía cao và phía thấp (High-Side và Low-Side) tần số cao, VB 100V, dòng đỉnh 3.5A/4.5A
Sản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ lâu dài trong thị trường công nghiệp. BD2320UEFJ-LA là gate driver phía cao và phía thấp có điện áp tối đa 100V, có thể điều khiển Nch-FET ngoài bằng phương pháp bootstrap.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- BD2320UEFJ-LAE2
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HTSOP-J8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- BD2320UEFJ-LA
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Kênh
- 2
- Điện áp nguồn nổi phía cao [V]
- 100
- Dòng đầu ra tối thiểu Io+ [mA]
- 3500
- Dòng đầu ra tối thiểu Io- [mA]
- 4500
- Thời gian bật/tắt (Typ.) [ns]
- 27/29
- Dòng rò nguồn offset (Max.) [µA]
- 10
- Vcc (Min.) [V]
- 7.5
- Vcc (Max.) [V]
- 14.5
- Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
- 125
- Kích thước vỏ [mm]
- 4.9x6.0 (t=1.0)
Thông tin chi tiết
Sản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ lâu dài trong thị trường công nghiệp. BD2320UEFJ-LA là gate driver phía cao và phía thấp có điện áp tối đa 100V, có thể điều khiển Nch-FET ngoài bằng phương pháp bootstrap. Driver gồm diode bootstrap 100V và các ngõ vào điều khiển độc lập cho phía cao (High-Side) và phía thấp (Low-Side). Điện áp giao tiếp có thể là 3.3V và 5.0V. Tích hợp mạch khóa điện áp thấp cho phía cao (High-Side) và phía thấp (Low-Side). IC này dùng dây chuyền sản xuất khác với dòng BD2320EFJ-LA nhằm nâng cao hiệu quả sản xuất. Chúng tôi khuyến nghị dùng IC này cho các thiết kế mới. Đặc tính điện nêu trong Datasheet không khác nhau giữa các dây chuyền sản xuất. Ngoài ra, dữ liệu của BD2320EFJ-LA được cung cấp cho tài liệu và mô hình thiết kế, trừ khi có quy định khác.
Tính năng chính
- Sản phẩm hỗ trợ dài hạn cho ứng dụng công nghiệp.
- Khóa điện áp thấp (UVLO) cho driver phía cao (High-Side) và phía thấp (Low-Side)
- Điện áp giao tiếp 3.3 V và 5.0 V
- Ngõ ra cùng pha với tín hiệu ngõ vào
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| BD3GD02NVX-LBE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD3GD03NVX-LBE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. BD3GD02NVX-LB và BD3GD03NVX-LB là các gate driver 1-kênh để điều khiển GaN HEMT tốc độ cao. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD96340MFF-CE2 ROHM SemiconductorBD96340MFF-C là IC Driver MOSFET (DrMOS) được phát triển để dùng với các PMIC SoC ô tô của ROHM. VFN27FV5030 Datasheet (PDF) | VFN27FV5030 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BM6GD11BFJ-LBE2 ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. SOP-JW8 Datasheet (PDF) | SOP-JW8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2310G-TR ROHM SemiconductorBD2310G là gate driver phía thấp (low-side) 1ch, có thể điều khiển Nch-FET và IGBT ngoài ở tốc độ cao. BD2310G có thể cấp dòng điện ngõ ra 4A trong vỏ nhỏ SSOP5. SSOP5 Datasheet (PDF) | SSOP5 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2311ANVX-LBE2 ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2311NVX-CE2 ROHM SemiconductorBD2311NVX-C là gate driver đơn có thể điều khiển GaN HEMT cực nhanh với xung hẹp, góp phần tăng tầm xa và độ chính xác cao cho LiDAR. Có thể cấp dòng điện ngõ ra 5.4A trong vỏ SON 6-chân nhỏ. SSON06RX2020 Datasheet (PDF) | SSON06RX2020 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| BD2312AGWL-LBTR ROHM SemiconductorĐang phát triển, chưa sản xuất hàng loạt. Sản phẩm này là sản phẩm xếp hạng dành cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm phù hợp nhất cho các ứng dụng này. UCSP50L1C Datasheet (PDF) | UCSP50L1C | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
