Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RQ3E130BNTB

Power MOSFET kênh N 30V 39A

RQ3E130BN là MOSFET vỏ công suất lớn.

RQ3E130BNTB, HSMT8 (Single,TB)

Thông số

Mã nhà sản xuất
RQ3E130BNTB
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
HSMT8 (Single,TB)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
RQ3E130BN
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Mã vỏ
HSMT8
Ứng dụng
Chuyển mạch, động cơ
Số chân
8
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
30
Dòng drain ID [A]
39
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.0067
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.0044
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0067
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
16
Công suất tiêu tán (PD) [W]
16
Điện áp điều khiển (drive) [V]
4.5
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Mã linh kiện die trần
Có sẵn: K4014
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))30 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)39A

Thông tin chi tiết

RQ3E130BN là MOSFET vỏ công suất lớn.

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RQ3E150BNTB

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E150GNTB

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E160ADTB1

ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RQ3E160AD phù hợp cho nguồn chuyển mạch.

HSMT8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E180AJTB1

ROHM SemiconductorRQ3E180AJ là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch, có đặc điểm điện trở ON thấp.

HSMT8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E180BNTB1

ROHM SemiconductorRQ3E180BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn cho ứng dụng chuyển mạch.

HSMT8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E180GNTB

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3G110ATTB

ROHM SemiconductorRQ3G110AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3G120BJFRATCB

ROHM SemiconductorRQ3G120BJFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

HSMT8AG

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá