RQ3E150BNTB
Power MOSFET kênh N 30V 39A
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RQ3E150BNTB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSMT8 (Single,TB)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RQ3E150BN
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- HSMT8
- Ứng dụng
- Chuyển mạch, động cơ
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 39
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0053
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0038
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0053
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 23
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 17
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Mã linh kiện die trần
- Có sẵn: K4013
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 3.3x3.3 (t=0.9)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 30 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 39A |
Thông tin chi tiết
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp.
- Vỏ công suất lớn (HSMT8)
- Mạ chân không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS.
- Không chứa halogen
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ3E150GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E160ADTB1 ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RQ3E160AD phù hợp cho nguồn chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E180AJTB1 ROHM SemiconductorRQ3E180AJ là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch, có đặc điểm điện trở ON thấp. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E180BNTB1 ROHM SemiconductorRQ3E180BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn cho ứng dụng chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E180GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G110ATTB ROHM SemiconductorRQ3G110AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G120BJFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G120BJFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G120BKFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G120BKFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
