RQ3E180GNTB
MOSFET kênh N truyền động 4.5V
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RQ3E180GNTB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSMT8 (Single,TB)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RQ3E180GN
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Mã vỏ
- HSMT8
- Ứng dụng
- Nguồn cấp
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 39
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0043
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0033
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0043
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 11
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 20
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Mã linh kiện die trần
- Có sẵn: K4511
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 3.3x3.3 (t=0.9)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 4.5 V |
Thông tin chi tiết
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp.
- Vỏ công suất lớn (HSMT8)
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ3G110ATTB ROHM SemiconductorRQ3G110AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G120BJFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G120BJFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G120BKFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G120BKFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G270BJFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G270BJFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G270BKFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G270BKFRA là Power MOSFET cho ADAS/Info./chiếu sáng/thân xe (Lighting/Body). Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3L060BGTB1 ROHM SemiconductorRQ3L060BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3L070ATTB ROHM SemiconductorRQ3L070AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3L070BGTB1 ROHM SemiconductorRQ3L070BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho công tắc phía sơ cấp, truyền động động cơ, bộ chuyển đổi DC/DC. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
