Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RQ3E180AJTB1

MOSFET công suất trung bình kênh N 30V 18A

RQ3E180AJ là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch, có đặc điểm điện trở ON thấp.

RQ3E180AJTB1, HSMT8 (Single,TB1)

Thông số

Mã nhà sản xuất
RQ3E180AJTB1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
HSMT8 (Single,TB1)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RQ3E180AJ
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Mã vỏ
HSMT8
Ứng dụng
Nguồn cấp
Số chân
8
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
30
Dòng drain ID [A]
18
RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
0.0045
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.0035
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0045
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
39
Công suất tiêu tán (PD) [W]
2
Điện áp điều khiển (drive) [V]
2.5
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))30 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)18A

Thông tin chi tiết

RQ3E180AJ là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch, có đặc điểm điện trở ON thấp.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp.
  • Vỏ gắn bề mặt nhỏ.
  • Mạ chân không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS.

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RQ3E180BNTB1

ROHM SemiconductorRQ3E180BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn cho ứng dụng chuyển mạch.

HSMT8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E180GNTB

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3G110ATTB

ROHM SemiconductorRQ3G110AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3G120BJFRATCB

ROHM SemiconductorRQ3G120BJFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

HSMT8AG

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3G120BKFRATCB

ROHM SemiconductorRQ3G120BKFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

HSMT8AG

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3G270BJFRATCB

ROHM SemiconductorRQ3G270BJFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).

HSMT8AG

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3G270BKFRATCB

ROHM SemiconductorRQ3G270BKFRA là Power MOSFET cho ADAS/Info./chiếu sáng/thân xe (Lighting/Body). Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101.

HSMT8AG

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3L060BGTB1

ROHM SemiconductorRQ3L060BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

HSMT8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá