RQ3E180BNTB1
MOSFET công suất trung bình kênh N 30V 39A
RQ3E180BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn cho ứng dụng chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RQ3E180BNTB1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSMT8 (Single,TB1)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RQ3E180BN
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- HSMT8
- Ứng dụng
- Chuyển mạch, động cơ
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 39
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0037
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0028
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0037
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 37
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 20
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Mã linh kiện die trần
- Có sẵn: K4003
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 3.3x3.3 (t=0.9)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 30 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 39A |
Thông tin chi tiết
RQ3E180BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn cho ứng dụng chuyển mạch.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp.
- Vỏ công suất lớn (HSMT8)
- Mạ chân không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS.
- Không chứa halogen.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ3E180GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G110ATTB ROHM SemiconductorRQ3G110AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G120BJFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G120BJFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G120BKFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G120BKFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G270BJFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G270BJFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body). HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3G270BKFRATCB ROHM SemiconductorRQ3G270BKFRA là Power MOSFET cho ADAS/Info./chiếu sáng/thân xe (Lighting/Body). Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. HSMT8AG Datasheet (PDF) | HSMT8AG | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3L060BGTB1 ROHM SemiconductorRQ3L060BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3L070ATTB ROHM SemiconductorRQ3L070AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
