35.577 mã linh kiện trong 12 nhóm
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| S2307 ROHM SemiconductorS2307 là MOSFET công suất SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2308 ROHM SemiconductorS2308 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4001 ROHM SemiconductorS4001 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4002 ROHM SemiconductorS4002 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4003 ROHM SemiconductorS4003 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4007 ROHM SemiconductorS4007 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4008 ROHM SemiconductorS4008 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4101 ROHM SemiconductorS4101 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4102 ROHM SemiconductorS4102 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4103 ROHM SemiconductorS4103 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4107 ROHM SemiconductorS4107 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S4108 ROHM SemiconductorS4108 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6201 ROHM SemiconductorS6201 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6202 ROHM SemiconductorS6202 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6203 ROHM SemiconductorS6203 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6204 ROHM SemiconductorS6204 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6205 ROHM SemiconductorS6205 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6207 ROHM SemiconductorS6207 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6301 ROHM SemiconductorS6301 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6302 ROHM SemiconductorS6302 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6304 ROHM SemiconductorS6304 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6305 ROHM SemiconductorS6305 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6306 ROHM SemiconductorS6306 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6307 ROHM SemiconductorS6307 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6401 ROHM SemiconductorS6401 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |