Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

S6207

650V, 15A, Silicon-carbide (SiC) SBD dạng die trần (Bare Die)

S6207 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Thông số

Mã nhà sản xuất
S6207
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
0
Điện áp ngược [V]
650
Dòng thuận liên tục [A]
15
Thế hệ
2nd Gen
Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Diode chỉnh lưu
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)Schottky
Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max))650 V
Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io))15A
Kiểu lắp (Mounting Type)Through Hole

Thông tin chi tiết

S6207 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Để mua Bare Die, vui lòng liên hệ văn phòng kinh doanh của chúng tôi để biết thông số kỹ thuật. Hiện tại chúng tôi không bán Bare Die qua các nhà phân phối trên internet.

Tính năng chính

  • · Thời gian phục hồi ngắn hơn
  • · Giảm sự phụ thuộc vào nhiệt độ
  • · Có thể chuyển mạch tốc độ cao

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
S6301

ROHM SemiconductorS6301 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6302

ROHM SemiconductorS6302 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6304

ROHM SemiconductorS6304 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6305

ROHM SemiconductorS6305 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6306

ROHM SemiconductorS6306 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6307

ROHM SemiconductorS6307 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6401

ROHM SemiconductorS6401 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6403

ROHM SemiconductorS6403 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá