S6306
1200V, 15A, Silicon-carbide (SiC) SBD dạng die trần (Bare Die)
S6306 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- S6306
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 0
- Điện áp ngược [V]
- 1200
- Dòng thuận liên tục [A]
- 15
- Thế hệ
- 2nd Gen
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Schottky |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 1200 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 15A |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Through Hole |
Thông tin chi tiết
S6306 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Để mua Bare Die, vui lòng liên hệ văn phòng kinh doanh của chúng tôi để biết thông số kỹ thuật. Hiện tại chúng tôi không bán Bare Die qua các nhà phân phối trên internet.
Tính năng chính
- · Thời gian phục hồi ngắn hơn
- · Giảm sự phụ thuộc vào nhiệt độ
- · Có thể chuyển mạch tốc độ cao
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| S6307 ROHM SemiconductorS6307 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6401 ROHM SemiconductorS6401 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6403 ROHM SemiconductorS6403 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6404 ROHM SemiconductorS6404 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6508 ROHM SemiconductorS6508 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6602 ROHM SemiconductorS6602 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6604 ROHM SemiconductorS6604 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCS215AEGC11 ROHM SemiconductorGiảm tổn hao chuyển mạch, cho phép chuyển mạch tốc độ cao. (Đóng gói 3 chân) TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
